牢記囑托 感恩奮進(jìn) | 產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院邁出科技自立自強(qiáng)堅(jiān)實(shí)步伐
題記：將創(chuàng)新偉力銘刻于奔騰不息的時(shí)代浪潮，將殷殷囑托熔鑄進(jìn)日夜拼搏的奮進(jìn)征程。以敢為人先的魄力向科技巔峰發(fā)起沖鋒，以舍我其誰(shuí)的擔(dān)當(dāng)在技術(shù)前沿開(kāi)疆拓土。
2023年5月12日，習(xí)近平總書(shū)記親臨中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院考察調(diào)研時(shí)指出，加快建設(shè)科技強(qiáng)國(guó)是全面建設(shè)社會(huì)主義現(xiàn)代化國(guó)家、全面推進(jìn)中華民族偉大復(fù)興的戰(zhàn)略支撐，必須瞄準(zhǔn)國(guó)家戰(zhàn)略需求，系統(tǒng)布局關(guān)鍵創(chuàng)新資源，發(fā)揮產(chǎn)學(xué)研深度融合優(yōu)勢(shì)，不斷在關(guān)鍵核心技術(shù)上取得新突破。他勉勵(lì)科技工作者再接再厲、勇攀科技高峰，不斷攻克前沿技術(shù)，打造更多科技自立自強(qiáng)的大國(guó)重器。
囑托，聲聲入耳；前行，力量倍增。
產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院深入學(xué)習(xí)貫徹習(xí)近平總書(shū)記重要講話精神，牢記“國(guó)之大者”，加快提升戰(zhàn)略能力，立足產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，聚焦科研前沿，加快推進(jìn)先進(jìn)材料、高端芯片、核心元器件、集成電路等領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，不斷搶占科技競(jìng)爭(zhēng)和未來(lái)產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)，著力增強(qiáng)核心功能和提高核心競(jìng)爭(zhēng)力，用一項(xiàng)項(xiàng)“從0到1”的原創(chuàng)突破，一件件“從有到優(yōu)”的大國(guó)重器，譜寫(xiě)了矢志創(chuàng)新的擔(dān)當(dāng)篇章。
瞄準(zhǔn)國(guó)家戰(zhàn)略需求，科技創(chuàng)新日新月異
面對(duì)紛繁復(fù)雜的外部形勢(shì)，產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院主動(dòng)適應(yīng)新形勢(shì)、研究新情況、探索新規(guī)律，強(qiáng)化頂層設(shè)計(jì)和體系攻關(guān)，推動(dòng)重大科技成果不斷涌現(xiàn)。量子級(jí)聯(lián)激光器（QCL）外延材料研發(fā)領(lǐng)域開(kāi)創(chuàng)性地構(gòu)建了多維協(xié)同創(chuàng)新范式，率先實(shí)現(xiàn)了室溫連續(xù)波模式下的顛覆性跨越，單模最大功率取得重大突破，為多個(gè)戰(zhàn)略領(lǐng)域提供革命性光源解決方案。開(kāi)發(fā)出8英寸碳化硅襯底的氮化鎵高電子遷移率晶體管外延技術(shù)，創(chuàng)新應(yīng)力調(diào)控與生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)優(yōu)化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了表面光亮無(wú)裂紋的外延層。大功率GaN功率芯片與Si基幅相多功能芯片異構(gòu)集成技術(shù)、星間光通信核心光電器件自主研發(fā)、無(wú)線電偵測(cè)技術(shù)與寬帶高功率噪聲干擾技術(shù)等技術(shù)相繼取得重要進(jìn)展。我們以“創(chuàng)”的智慧，在微電子、光電子、MEMS芯片技術(shù)領(lǐng)域不斷突破，在創(chuàng)新發(fā)展的時(shí)代畫(huà)卷上鐫刻鮮明的奮斗足跡。
系統(tǒng)布局創(chuàng)新資源，重大任務(wù)勇毅前行
“5、4、3、2、1，點(diǎn)火！”從神舟二十號(hào)成功發(fā)射、神舟十九號(hào)順利返回，到嫦娥六號(hào)首次月背采樣，每次航天任務(wù)“使命必達(dá)”，都離不開(kāi)研究院的“硬核支撐”。我們深度參與載人航天、探火探月、北斗組網(wǎng)等重大工程任務(wù)，突破深空測(cè)控、天地通信、新型能源等關(guān)鍵技術(shù)，有力保障航天器精準(zhǔn)入軌、高速對(duì)接、天地通話，確保航天器“飛得穩(wěn)、對(duì)得準(zhǔn)、聽(tīng)得清、望得遠(yuǎn)”，支撐我國(guó)航天事業(yè)闊步前進(jìn)。以需求為牽引，強(qiáng)化提升應(yīng)急生產(chǎn)、精準(zhǔn)交付能力，攻克大功率微波器件、毫米波T/R和高精度組合導(dǎo)航系統(tǒng)等一大批事關(guān)新質(zhì)戰(zhàn)斗力生成的尖端技術(shù)，助力裝備升級(jí)換代。我們以“拼”的精神，助力大國(guó)重器問(wèn)鼎蒼穹，護(hù)航新質(zhì)戰(zhàn)斗力加速生成，為國(guó)防現(xiàn)代化建設(shè)提供堅(jiān)強(qiáng)支撐。
不斷攻克前沿技術(shù)，培育發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力
向新而行，開(kāi)拓進(jìn)取，踴躍承擔(dān)互聯(lián)網(wǎng)衛(wèi)星、商業(yè)航天等關(guān)鍵載荷配套研制，面向5G/5G-A基站，氮化鎵功放、光通信外殼市場(chǎng)占有率繼續(xù)保持國(guó)內(nèi)第一、世界第二，向低空經(jīng)濟(jì)發(fā)力，慣性導(dǎo)航系統(tǒng)批量應(yīng)用于無(wú)人機(jī)。為“聰明車(chē)”裝上“智慧眼”，MEMS傳感器助力新能源汽車(chē)實(shí)現(xiàn)不間斷厘米級(jí)定位精度，對(duì)自動(dòng)駕駛汽車(chē)“全天候”精確定位定向。400G/800G數(shù)據(jù)中心用光接收芯片年發(fā)貨量首次突破1.5億顆大關(guān)，加速高端光電芯片在AI領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。我們以“實(shí)”的干勁，在新賽道上加速領(lǐng)跑、在新機(jī)遇中乘勢(shì)而上，全面激活新質(zhì)生產(chǎn)力的發(fā)展活力。
民品產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)，改革發(fā)展朝氣蓬勃
聚焦主責(zé)主業(yè)，以技術(shù)突破引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。在核心元器件領(lǐng)域，RISC-V開(kāi)源架構(gòu)微控制器、高功率三模可重構(gòu)器件等關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破；在先進(jìn)材料方向，大尺寸半導(dǎo)體材料研發(fā)進(jìn)展顯著，成功研制國(guó)內(nèi)首臺(tái)金剛石氮空位色心微波激射器，性能指標(biāo)國(guó)際領(lǐng)先。化合物芯片技術(shù)團(tuán)隊(duì)榮獲首屆“國(guó)家卓越工程師團(tuán)隊(duì)”榮譽(yù)稱(chēng)號(hào)，“民用5G氮化鎵”等兩項(xiàng)科研成果再次榮獲國(guó)家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。落實(shí)戰(zhàn)略能力提升部署，加快推動(dòng)研究院科技創(chuàng)新融合布局，聯(lián)合46所、47所、49所設(shè)立先進(jìn)材料研發(fā)中心、集成電源研發(fā)中心、傳感器研發(fā)中心，提升上下游創(chuàng)新資源配置效益，同謀劃、重協(xié)同，加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)。增強(qiáng)我院在產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈上的安全和韌性。我們以“韌”的毅力，深化產(chǎn)學(xué)研融合，加速推進(jìn)技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供持續(xù)動(dòng)力引擎。
兩度春秋，初心不改，重任在肩，實(shí)干為要。站在新的起點(diǎn)上，讓我們始終沿著習(xí)近平總書(shū)記指引的方向，以更高站位、更強(qiáng)擔(dān)當(dāng)、更實(shí)舉措，銳意進(jìn)取、勇攀高峰，奮力譜寫(xiě)振興民族半導(dǎo)體高質(zhì)量發(fā)展新篇章，為實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)、建設(shè)科技強(qiáng)國(guó)作出新的更大貢獻(xiàn)。
