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產(chǎn)業(yè)基礎研究院“一種紫外探測器及其制備方法”項目榮獲中國專利優(yōu)秀獎
近日,國家知識產(chǎn)權局發(fā)布了“國家知識產(chǎn)權局關于第二十四屆中國專利獎授獎的決定”,產(chǎn)業(yè)基礎研究院重點實驗室申請的“一種紫外探測器及其制備方法”項目獲第二十四屆“中國專利優(yōu)秀獎”。
新型寬禁帶半導體碳化硅雪崩紫外探測器是集成小型化高靈敏紫外探測系統(tǒng)的核心器件,在高壓設備電暈放電檢測、火災探測、紫外顯微成像、紫外通信等領域具有重要應用價值,該專利技術解決了碳化硅雪崩紫外探測器面臨的量子效率、響應速度和雪崩增益難以兼顧的問題,有效提高了探測器的綜合性能。
基于該技術研制的碳化硅雪崩紫外探測器相關技術指標達到國際先進水平,部分指標國際領先,有力推動了國產(chǎn)化高端固態(tài)紫外探測器的工程化應用進程。